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碳化硅微粉是应用较早、使用较大的微粉之一，在目前市场销售耐火材料用的碳化硅微粉多采用机械粉碎法，其粒径约为1-5微米之间，而精细陶瓷所用碳化硅微粉制取则主要采取气相反应合成法，该法已有很成熟的工艺，但是，由于传统的加热技术难以控制反应气体分子的时间，碳化硅粒供应商，近年来又发展了以激光作为热源的气相合成法—激光诱发气相化学反应法，它不仅使用于碳化硅，同样也适用于制si、si3n4、b、b4c、zrb2、tio2、tib2、al2o3等微粉。

因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °c），碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高电流密度，河南碳化硅粒，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅。此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。