氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300～500℃热处理会产生热施主，广西半导体硅，而经650℃以上热处理可除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，半导体硅价格，在更高温度下处理会产生氧沉淀，半导体硅公司，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和---缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺，能提高器件的成品率。
材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，---是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大---；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，---了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。
高灰分会阻碍结构的结晶，影响炭素制品的使用性能。焦炭制品在承受突然升---温或从高温急剧冷却的热冲击时的抗性能。用户在挑选金属硅粉时，半导体硅批发，可以通过以上细节，判断出金属硅粉的。当然，在判断金属硅粉的时，也要考虑含油量、透明度、颜色、光泽度、厚度、弹性、化学溶剂性、耐介质性能、耐冲击、耐划痕性能、耐磨性能等。
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