




氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300~500℃热处理会产生热施主,而经650℃以上热处理可除热施主,同时产生氧沉淀成核中心,在更高温度下处理会产生氧沉淀,形成层错和位错等诱生缺陷,利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和---缺陷的特性,半导体硅多少钱一吨,发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺,能提高器件的成品率。
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高温下与氧反应生成无定形二氧化硅层,在器件工艺中常用半作掩蔽层和隔离层。硅不溶于酸,但溶于hno3。和hf的混合溶液中,常用这种溶液作腐蚀液。硅稍溶于加温的碱溶液中,还可采用等离子腐蚀技术来腐蚀硅。硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数11.7,半导体硅生产厂家,对光具有高的折射率(n=3.42),反射损失较大,涂以适当减反射膜可提高透过率。
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