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结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(sio2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%~99%),然后将其变为硅的卤化物或氢化物,经提纯,单晶硅粉批发,以制备纯度---的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的法制备。在制造大多数半导体器件时,用的硅材料不是硅多晶,而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。
而在绝缘体中,安徽单晶硅粉,价带和导带之间存在很大的能隙,电子无法通过这个能隙进行传导。而在半导体硅结构中,价带和导带之间的能隙比较小,因此电子可以通过这个能隙进行传导,但是传导的能力比导体要差很多。半导体硅结构的导电性可以通过掺杂来改变。掺杂是指在半导体硅结构中加入一些杂质原子,这些杂质原子会改变半导体硅结构的电子能带结构,从而影响其导电性。
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